STGB40V60F

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体的新一代功率开关解决方案STGB40V60F，这颗集高性能与高可靠性于一身的IGBT，将彻底改变您对中高功率应用的想象。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在变频驱动系统中，电机需要平稳、高效且快速地响应控制指令。STGB40V60F凭借其600V的击穿电压和高达80A的连续集电极电流能力，轻松应对严苛的负载变化。其采用的先进沟槽型场截止技术，将饱和压降（Vce(on)）有效控制在低至2.3V@40A的水平，这意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的运行温度和更高的系统效率。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是太阳能逆变器和焊接设备，它都能提供稳定而强劲的功率输出，确保您的设备在复杂工况下依然游刃有余。

选择STGB40V60F，就是选择了一份安心与前瞻性。其优化的开关特性（开启/关断延迟时间短）与合理的栅极电荷（226nC），显著降低了开关损耗，让您的电源设计在追求高频化的同时，无需担心过热和效率下降。283W的强大功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性与环境适应性。表面贴装DPak封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STGB40V60F成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STGB40V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:456J（导通），411J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB40V60F的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。