STP45N40DM2AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？想象一下，一款能够在400V高压下稳定输出38A电流，同时将导通损耗降至最低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh DM2家族的明星产品STP45N40DM2AG，它正是为破解这些核心挑战而生，为您带来前所未有的性能飞跃。

这款采用先进N沟道技术的功率器件，其精髓在于极低的72毫欧导通电阻（Rds(on)）。这意味着在相同的电流负载下，芯片自身的功耗显著降低，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是以热量的形式白白浪费。结合其优化的栅极电荷（Qg）特性，STP45N40DM2AG在高速开关应用中同样表现出色，能够有效降低开关损耗，提升系统整体频率响应。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的车载充电机(OBC)和光伏逆变器，它都能游刃有余地应对高功率密度和高可靠性的双重考验。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更让它成为严苛汽车电子应用中的可靠心脏，确保您的产品在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定运行。

选择STP45N40DM2AG，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它让您能够轻松简化散热设计，减小系统体积，从而打造出更紧凑、更高效、更具市场竞争力的终端产品。其经典的TO-220封装提供了优异的功率耗散能力（高达250W）和便捷的安装方式，极大地方便了工程师的布板与生产。当您致力于提升产品能效等级、追求卓越的功率密度时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。我们作为专业的ST一级代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，助力您的创意从蓝图走向现实，在激烈的市场竞争中率先冲过终点线。

• 型号:STP45N40DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 38A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45N40DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。