STGB5H60DF

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为平衡开关损耗与系统可靠性而苦恼？当600V应用场景对功率密度和效率提出更高要求时，STGB5H60DF的出现，正是为了终结这种妥协。这款来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，以其卓越的性能参数，正在重新定义中功率应用的能效标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现绿色高效设计的强大引擎。

想象一下，在变频驱动、不间断电源或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STGB5H60DF凭借其先进的沟槽场截止技术，将集射极饱和压降（Vce(on)）控制在极低的1.95V（@5A），这意味着在导通状态下，它能将更多的电能输送给负载，而非白白转化为热量。更令人振奋的是，其极低的开关能量（开通56J，关断78.5J）与快速的开关特性（td(on/off) 30ns/140ns），能显著降低高频工作时的开关损耗，让您的系统运行得更凉爽、更安静，整体效率跃升新台阶。

无论是驱动一台高效节能的电机，还是为关键设备提供纯净稳定的电力保障，这颗芯片都能游刃有余。其10A的连续集电极电流和20A的脉冲电流能力，配合600V的高耐压，为各种严苛的工业与消费类应用提供了坚实的保护。表面贴装的DPak封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，确保在高达175°C的结温下依然稳定工作。选择STGB5H60DF，就是选择了一份来自ST原厂的品质保证与性能承诺。若您需要本地化的技术支持和快捷的供货服务，专业的ST中国代理网络随时准备为您提供全方位的协助，让您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:STGB5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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