STGB6NC60HDT4

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为平衡开关损耗与系统成本而苦恼？现在，答案来了。意法半导体推出的STGB6NC60HDT4，正是为破解这一难题而生的高性能IGBT。它不仅仅是一个600V、15A的功率开关，更是集成了PowerMESH先进技术的效率引擎，将56W的最大功率处理能力与卓越的开关性能融为一体，为您带来前所未有的设计自由度和系统价值提升。

想象一下，在变频家电的电机驱动核心、在紧凑型工业电源的PFC电路中、在不间断电源（UPS）的能量转换枢纽，STGB6NC60HDT4都能大显身手。其2.5V的低饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，而优化的开关能量（20J开启，68J关断）与快速的开关时间（12ns/76ns）则显著降低了开关损耗。这意味着您的系统能在更宽的工作频率和负载范围内保持高效运行，发热更低，可靠性更高，最终为用户带来更安静、更节能、更耐用的产品体验。无论是提升现有方案的能效等级，还是开发下一代高性能产品，它都是您值得信赖的功率基石。

选择STGB6NC60HDT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，不仅提供了出色的散热性能和功率密度，也简化了您的PCB布局与生产流程。其宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，是保障项目顺利推进、获得正品芯片与完整服务链的关键一步。让这颗凝聚了意法半导体尖端工艺的IGBT，成为您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的强大动力核心。

• 型号:STGB6NC60HDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:56 W
• 开关能量:20J（导通），68J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:13.6 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns
• 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):21 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB6NC60HDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。