STGB7H60DF

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为功率器件的开关损耗与散热难题而困扰？当600V中压应用需要兼顾性能与成本时，STGB7H60DF的出现，为您提供了一个经过市场验证的卓越答案。这款来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，集成了14A的连续电流能力和高达28A的脉冲处理能力，其核心价值在于将高效的开关特性与坚固的封装完美结合，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是变频驱动中的电机控制，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器的核心功率转换单元，甚至是工业焊接设备的能量精准输出，STGB7H60DF都能游刃有余。它1.95V的低饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，而优化的开关能量（99J开，100J关）则显著降低了开关过程中的热量产生。在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，配合DPak（TO-263）表面贴装封装带来的优异散热能力，确保了系统在严苛环境下的长期可靠运行，大幅提升了终端产品的寿命与口碑。

选择STGB7H60DF，不仅是选择了一颗高性能的IGBT，更是选择了一套经过优化的功率解决方案。其标准输入特性简化了驱动电路设计，让工程师能够更快速地完成系统集成。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能指标，使其在存量市场与特定升级项目中依然极具吸引力。对于需要可靠货源与技术支持的用户，通过专业的ST代理商进行咨询与采购，是获得正品保障与后续服务的最佳途径。让这颗经典的功率芯片，成为您打造高效、紧凑、可靠电力系统的坚实基石。

• 型号:STGB7H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:99J（导通），100J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:46 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns
• 测试条件:400V，7A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):136 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB7H60DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。