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STGD10NC60SDT4供应商
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STGD10NC60SDT4
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:DPAK
- 技术参数:IGBT 600V 18A 60W DPAK
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STGD10NC60SDT4参数详情:
在追求更高能效与更紧凑设计的电力电子领域,您是否还在为平衡开关损耗与系统可靠性而烦恼?现在,让我们向您介绍一款历经市场验证的经典功率器件STGD10NC60SDT4。它不仅仅是一个IGBT,更是您提升产品竞争力的得力助手。其600V的集射极击穿电压与18A的持续电流能力,为中小功率应用提供了坚固的基石,而仅1.65V的低饱和压降(在5A条件下),意味着更低的导通损耗,直接将电能高效转化为动力,让每一分能源都物尽其用。
想象一下,在变频家电的电机驱动板中,它能够实现平滑而有力的控制;在紧凑型开关电源和UPS不间断电源内部,它确保了能量转换的稳定与高效;甚至在工业自动化设备的辅助电源模块里,它也能默默承担起关键角色。这款采用表面贴装DPak封装的器件,天生为高密度PCB布局而生,帮助您节省宝贵的空间,同时其宽广的-55°C至150°C结温工作范围,赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。无论面对突然的负载波动还是复杂的散热条件,它都能保持稳定输出。
选择STGD10NC60SDT4,就是选择了一份来自意法半导体PowerMESH技术的品质承诺。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的性能与可靠性在存量市场和特定延续项目中依然闪耀着价值。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言,通过可靠的ST一级代理渠道进行采购,不仅能确保获得原装正品,还能获取关于替代升级方案的专业建议,让您的产品生命周期管理更加从容。它代表了一个时代的经典设计哲学在有限的体积内实现极致的性能与耐用性,这份遗产至今仍在为无数设备注入强劲而可靠的“心脏”。
- 型号:STGD10NC60SDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,5A
- 功率 - 最大值:60 W
- 开关能量:60J(导通),340J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/160ns
- 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):22 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- STGD10NC60SDT4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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