STGD25N40LZAG

在追求极致能效的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在175°C结温下稳定工作，同时将导通损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。这正是STGD25N40LZAG带来的核心价值它不仅仅是一个功率晶体管，更是您实现高效、紧凑、可靠电源方案的基石。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电机）和DC-DC转换器，还是工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器，对功率器件的严苛要求都如出一辙：高电压、大电流、低损耗、长寿命。STGD25N40LZAG凭借其高达435V的击穿电压和25A的持续电流能力，为这些高压大功率场景提供了坚实的保障。其逻辑电平输入特性，让您能够轻松与微控制器直接接口，简化驱动电路设计，而1.25V的低饱和压降（Vce(on)）则意味着在导通状态下更少的能量以热的形式浪费，直接提升了整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STGD25N40LZAG，就是选择了一份来自意法半导体汽车级（AEC-Q101）品质的承诺。它专为应对恶劣环境而生，宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在极端气候下的稳定性和可靠性，这对于汽车和工业应用至关重要。表面贴装（TO-252/DPak）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径。更快的开关速度（低栅极电荷26nC）与稳健的开关特性相结合，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统运行得更安静、更高效。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，可以信赖专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STGD25N40LZAG成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效能源转换的新篇章。

• 型号:STGD25N40LZAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 435V 25A TO-252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:435 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:-
• 输入类型:逻辑
• 栅极电荷:26 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:1.1s/4.6s
• 测试条件:300V，10A，1 千欧，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• STGD25N40LZAG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。