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STGFW30NC60V

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-3PF
  • 技术参数:IGBT 600V 36A TO-3PF
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGFW30NC60V参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中,您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰?当效率每提升1%都意味着巨大的市场竞争力和能源节约时,选择一颗真正强大的IGBT至关重要。现在,让我们向您隆重介绍意法半导体PowerMESH家族的杰出代表STGFW30NC60V,这颗600V/36A的功率开关,正是为打破常规、重塑性能标准而生。

想象一下,在变频驱动、不间断电源(UPS)或工业焊接设备的核心功率模块中,STGFW30NC60V正以其高达80W的功率处理能力和600V的坚固耐压,从容应对各种严苛工况。其集电极脉冲电流能力高达100A,意味着它拥有卓越的过载承受力,在负载突变时也能稳如磐石,确保系统连续稳定运行。更令人印象深刻的是其低至2.5V的饱和压降(在15V Vge, 20A Ic条件下),这直接转化为更低的导通损耗,让您的设备运行更凉爽,效率更高,从源头上节约每一度电。

无论是伺服驱动器需要精准的扭矩控制,还是光伏逆变器要求高效的能量转换,这颗芯片都能完美胜任。其标准的输入特性和优化的开关特性(开启延迟31ns,关断延迟100ns),配合220J的开启能量与330J的关断能量,实现了快速、干净的开关动作。这不仅减少了开关损耗,还显著降低了电磁干扰(EMI),让您的产品更容易通过严格的电磁兼容认证,缩短上市周期。选择STGFW30NC60V,就是选择了一份由意法半导体尖端PowerMESH技术背书的高可靠性。其通孔TO-3P封装提供了优异的散热路径和机械强度,确保在-55°C至150°C的结温范围内持久工作。虽然该型号已停产,但其成熟的设计和久经考验的性能,使其成为许多经典或特定延续性项目的理想选择。通过与可靠的ST芯片代理合作,您依然可以获取这颗性能标杆器件,为您的产品注入经久不衰的动力与信心。

  • 型号:STGFW30NC60V
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 36A TO-3PF
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 开关能量:220J(导通),330J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:100 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:31ns/100ns
  • 测试条件:390V,20A,3.3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF
  • STGFW30NC60V的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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