STGP10NB60SD

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高效、坚固与易用于一身的解决方案，能够将您的电源转换、电机驱动或UPS系统提升到新的高度。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STGP10NB60SD，这颗基于先进PowerMESH技术的IGBT，正是为破解您的效率难题而生。

它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您实现设计目标的强大引擎。凭借高达600V的击穿电压和29A的连续集电极电流，它能在严苛的工业环境中稳定运行，轻松应对浪涌冲击。其低至1.75V的饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的系统发热和更高的整体能效，让每一瓦电力都物尽其用。无论是变频驱动中精准控制电机转速，还是不间断电源（UPS）中确保关键负载的电力纯净，亦或是电焊机、太阳能逆变器中对功率的高效调度，STGP10NB60SD都能以其卓越的开关特性（快速的开通与关断时间）和80W的强大功率处理能力，成为系统核心的可靠基石。

选择STGP10NB60SD，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体深厚的工业基因确保了这颗芯片从晶圆到封装的每一环节都经受了最严格的考验，其宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，保障设备7x24小时稳定运行。经典的TO-220封装不仅提供了优异的散热性能，也简化了您的PCB布局与生产装配流程。当您需要这样一颗高性能、高可靠性的芯片来赋能您的下一代产品时，选择一家值得信赖的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们将为您提供从选型支持到稳定供货的全链条服务。让STGP10NB60SD成为您设计中的明星，驱动创新，赢取市场先机。

• 型号:STGP10NB60SD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 29A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:29 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:600J（导通），5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:33 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/1.2s
• 测试条件:480V，10A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP10NB60SD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。