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STGP3NB60K供应商
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STGP3NB60K
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
- 技术参数:IGBT 600V 10A 50W TO220
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STGP3NB60K参数详情:
在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中,您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡?当600V的电压平台与10A的电流需求成为您的设计基线,一颗集高效、坚固与易用于一身的IGBT,便是撬动系统整体性能的关键支点。今天,我们向您隆重介绍意法半导体PowerMESH家族的得力成员STGP3NB60K,它将以其卓越的电气特性,为您的创意注入强劲动力。
想象一下,在变频驱动器的核心电路中,它能够以高达24A的脉冲电流从容应对电机启动的瞬间冲击;在UPS不间断电源或太阳能逆变器的功率转换部分,其600V的集射极击穿电压提供了宽裕的安全余量,确保系统在电网波动中稳如磐石。即便面对电磁炉、感应加热等对开关频率和损耗有苛刻要求的应用场景,STGP3NB60K凭借仅2.8V的低饱和压降(Vce(on))和优化的开关能量(58J关断),能显著降低导通与开关损耗,让您的设备不仅运行更凉爽,效率也迈上新台阶。其标准的输入特性和仅14nC的栅极电荷,意味着它极易被驱动,让您的电路设计化繁为简。
选择STGP3NB60K,就是选择了一份经过市场验证的可靠性。它采用经典的TO-220-3通孔封装,坚固耐用,散热性能优异,最大功耗可达50W,结温高达150°C,赋予了产品在严苛环境下长期稳定工作的资本。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计和出色的性能使其在诸多存量项目与特定设计中依然极具价值。为了确保您能获取到正品货源并进行顺畅的技术对接,我们强烈建议您通过官方授权的ST代理渠道进行咨询与采购,他们不仅能提供可靠的元器件,更能带来专业的技术支持与供应链保障。让这颗来自意法半导体的功率“芯”脏,成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。
- 制造商产品型号:STGP3NB60K
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 10A 50W TO220
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:PowerMESH
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):10A
- 电流-集电极脉冲(Icm):24A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A
- 功率-最大值:50W
- 开关能量:58J(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:14nC
- 25°C时Td(开/关)值:14ns/33ns
- 测试条件:480V,3A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-220-3
- STGP3NB60K的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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