STGW15S120DF3

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率密度与低损耗之间的平衡而困扰？当系统需要在1200V高压下稳定运行，同时要求快速开关与低导通损耗时，STGW15S120DF3的出现，正是为破解这一核心难题而来。这款来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，以其卓越的电气性能，重新定义了15A电流等级下的效率标杆，让您的设计不仅强大，更显智慧。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率模块中，每一焦耳的能量都至关重要。STGW15S120DF3凭借其仅2.05V的低饱和压降（Vce(on)），在15A的典型工作电流下，能将导通损耗大幅降低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统整体效率。其540J的开启能量与1.38mJ的关断能量，配合优化的开关速度，确保了在频繁开关的PWM应用中，开关损耗同样得到精细控制。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足新能源领域对效率的极致追求，它都能游刃有余，成为系统稳定高效运行的坚实心脏。

选择STGW15S120DF3，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其1200V的击穿电压提供了充足的安全裕度，30A的连续集电极电流和高达60A的脉冲电流能力，赋予了系统强大的过载与浪涌承受力。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了从寒冷到酷热的各种环境下，性能始终如一。经典的TO-247封装，不仅散热性能优异，也便于安装与生产。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个高性能的功率开关，更是ST强大的技术支撑、可靠的质量保证和完整的供应链服务，让您的产品从设计到量产全程无忧，在激烈的市场竞争中率先赢得技术制高点。

• 型号:STGW15S120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:540J（导通），1.38mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/140ns
• 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):270 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW15S120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。