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STGW40N120KD

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 80A TO-247-3
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGW40N120KD参数详情:

当您的工业电机驱动或光伏逆变器项目面临效率瓶颈时,是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时将开关损耗降至最低的“心脏”?这正是STGW40N120KD为您带来的核心价值。作为ST意法半导体PowerMESH家族的杰出代表,这颗1200V/80A的IGBT,以其高达240W的功率处理能力和优化的开关特性,专为应对严苛的能源转换挑战而生。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统整体能效、实现设计精简与成本控制的得力伙伴。

想象一下,在变频空调的压缩机驱动中,或在电焊机持续的高频开关工作状态下,稳定与高效是压倒一切的需求。STGW40N120KD凭借其3.85V的低饱和压降(Vce(on))和经过优化的开关能量(3.7mJ开,5.7mJ关),能显著减少导通与开关过程中的热量产生,让您的设备运行更凉爽,寿命更长久。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至125°C的工作结温范围,确保了即使在环境恶劣的工业现场,也能提供 unwavering 的可靠性。无论是UPS不间断电源的快速切换,还是新能源汽车充电桩的能量转换,它都能游刃有余地成为系统可靠性的基石。

选择STGW40N120KD,意味着您选择了一个经过市场验证的高性能解决方案。其标准输入类型和合理的栅极电荷(126nC),简化了驱动电路设计,让工程师能够更专注于系统层面的创新。虽然该型号已进入停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑,使其在存量市场与特定升级项目中依然极具吸引力。对于寻求稳定货源与专业支持的开发者,通过值得信赖的ST一级代理进行采购,是确保获得正品芯片并获得完整技术后援的明智之选。这不仅仅是一次元器件选型,更是为您的产品注入持久动力与市场竞争力的关键决策。

  • 型号:STGW40N120KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1200V 80A TO-247-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):3.85V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:240 W
  • 开关能量:3.7mJ(导通),5.7mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:126 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/338ns
  • 测试条件:960V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):84 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • STGW40N120KD的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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