STGWA8M120DF3

当您需要在高功率应用中实现效率与可靠性的完美平衡时，是否曾为选择一款合适的功率开关器件而反复权衡？现在，答案已经清晰。我们隆重推出意法半导体新一代功率器件中的明星产品STGWA8M120DF3。它不仅仅是一颗IGBT，更是您构建高效、紧凑、耐用电力电子系统的核心引擎，专为应对严苛工业环境而生。

想象一下，在变频驱动器中，电机需要平稳启动、精准调速，同时将能量损耗降至最低。STGWA8M120DF3凭借其1200V的高耐压和16A的持续电流能力，轻松驾驭此类任务。其采用的先进沟槽型场截止技术，带来了低至2.3V的饱和压降（Vce(on)），这意味着在导通状态下，芯片自身的功耗被大幅削减，更多的电能被有效输送给负载，直接为您节省运营成本，提升整机效率。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是太阳能逆变器和焊接设备，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行。

选择STGWA8M120DF3，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。它的开关能量（390J开，370J关）与快速反向恢复时间（103ns）经过精心优化，在保证开关速度的同时，有效抑制了电压尖峰和电磁干扰，让您的系统设计更简洁，电磁兼容性（EMC）更出色。经典的TO-247-3通孔封装，提供了优异的散热能力和机械可靠性，简化了生产装配流程。当您追求极致的功率密度与长期可靠性时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。我们作为专业的ST一级代理，不仅提供原装正品，更能为您带来深度的技术支持和灵活的供应链服务，助力您的产品快人一步，赢得市场先机。

• 型号:STGWA8M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:390J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:32 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
• 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):103 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA8M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。