STH13N120K5-2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭1200V高压、同时保持出色动态性能的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍STH13N120K5-2AG，这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高压应用挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、增强产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，稳定与高效是生命线。STH13N120K5-2AG凭借其1200V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为这些高压大功率场景提供了坚实的保障。其低至690毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更低的能量损耗，直接将电能更高效地传递给负载，让您的设备运行更凉爽，寿命更长久。无论是应对电网波动，还是驱动重型电机，它都能游刃有余，确保系统在任何工况下都稳定如山。

选择STH13N120K5-2AG，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体深厚的工艺积累，确保了这颗芯片在-55°C至150°C的广阔结温范围内都能保持卓越性能。其优化的栅极电荷（Qg）特性，有助于简化驱动电路设计，实现更快的开关速度，从而提升系统整体频率响应和功率密度。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系您信赖的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。采用H2PAK-2表面贴装封装的它，不仅功率处理能力高达250W，也为您的PCB布局提供了更大的灵活性和出色的散热性能。让STH13N120K5-2AG成为您下一代高端电力电子设计的核心动力，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STH13N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH13N120K5-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。