STP10N105K5

在追求极致能效与可靠性的高功率设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们为您介绍一个颠覆性的解决方案STP10N105K5。这款来自意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其1050V的超高耐压和仅为1.3欧姆的低导通电阻，为您打开了高效能功率转换的新大门。它不仅仅是一个晶体管，更是您构建坚固、高效电力系统的基石，能显著降低能量损耗，提升整体系统性能，让您的产品在竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，STP10N105K5正以其卓越的性能稳定运行。它高达6A的连续漏极电流和130W的强大功率处理能力，足以应对严苛的工业环境挑战。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关动作，极大减少了开关损耗和电磁干扰，让您的电源设计不仅高效，而且异常宁静与稳定。无论是面对复杂的负载变化还是高温工作条件，它都能游刃有余，保障系统长时间无故障运行。

选择STP10N105K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与长期价值。MDmesh K5技术专为降低导通和开关损耗而优化，这意味着更低的运营成本和更小的散热设计压力。其TO-220封装兼顾了出色的功率耗散能力和便捷的安装性，从原型设计到大规模生产都能无缝衔接。为了确保您能便捷、可靠地获得这款优质芯片，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，从而获得完整的技术支持、正品保障和稳定的供货渠道。立即采用STP10N105K5，让它成为您下一个成功产品的强大心脏！

• 型号:STP10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N105K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。