STL11N65M2

当您设计的电源系统需要在高电压环境下稳定运行，同时又要严格控制空间占用和散热成本时，您是否曾为寻找一颗性能与尺寸完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STL11N65M2，这颗来自意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效、增强系统可靠性的强大引擎。

想象一下，在紧凑的服务器电源模块内部，或在追求极致效率的工业电机驱动器中，高达650V的电压环境对器件的耐压能力提出了严苛考验。STL11N65M2凭借其卓越的650V漏源电压额定值，为您构筑了坚实的第一道防线，确保系统在高压冲击下安然无恙。而其仅670毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效传递到负载端，直接转化为更高的整机效率和更低的运行温度。这种高效能表现，让它在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、照明镇流器以及电机控制等应用中游刃有余，成为工程师实现高性能设计的可靠基石。

选择STL11N65M2，就是选择了一种面向未来的设计思路。它采用先进的POWERFLAT 5x5封装，这种表面贴装技术不仅极大地节省了宝贵的PCB空间，使您的产品设计更加纤薄精巧，其优异的封装热性能还能帮助热量快速散发，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，提升了系统的长期可靠性。更低的栅极电荷和输入电容，意味着它能够被快速驱动，开关过程干净利落，这有助于减少开关损耗，进一步提升频率性能，让您的电源系统响应更迅捷。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系我们的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL11N65M2的强大性能，为您的下一个创新产品注入澎湃动力与卓越能效。

• 型号:STL11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STL11N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。