STH175N4F6-6AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能够承载120A大电流的开关器件，其导通电阻竟低至惊人的2.4毫欧，这意味着在每一次开关动作中，宝贵的能量都被最大限度地保留下来，转化为您系统的澎湃动力，而非恼人的热量。这正是STH175N4F6-6AG为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升能效、简化热管理的终极解决方案。

这颗源自意法半导体STripFET F6家族的明星产品，天生为严苛的汽车电子环境而生，通过了AEC-Q101认证，其可靠性早已在无数里程中得到验证。无论是混合动力或电动汽车中至关重要的DC-DC转换器、电机驱动，还是需要处理瞬间大电流的电池管理系统和负载开关，STH175N4F6-6AG都能游刃有余。它高达40V的漏源电压和175°C的最大结温，赋予了系统设计者前所未有的余量和信心，即使在引擎舱的高温环境下，也能确保性能稳定如一，让您的产品从容应对各种极端挑战。

选择STH175N4F6-6AG，就是选择了一种高效可靠的设计哲学。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着驱动电路可以更简单、开关速度可以更快，从而显著降低开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完全契合现代自动化生产的需求。尽管该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定。当您需要一颗能在高功率密度应用中同时兼顾高效率、低热阻和卓越可靠性的N沟道MOSFET时，STH175N4F6-6AG所代表的性能标杆，无疑是您缩短开发周期、打造市场竞争力产品的明智之选。

• 型号:STH175N4F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH175N4F6-6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。