STH22N95K5-2AG

想象一下，当您的电源管理设计面临效率瓶颈时，一个决定性的选择将如何彻底改变局面？今天，我们向您隆重介绍STH22N95K5-2AG，这颗来自ST意法半导体的高性能MOSFET，正是为突破极限、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、可靠、紧凑型设计的强大引擎，专为应对严苛的功率转换挑战而精心打造。

在当今追求极致能效与功率密度的时代，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车载充电器，对功率开关器件的性能要求都达到了前所未有的高度。STH22N95K5-2AG凭借其卓越的电气特性，在导通电阻、开关速度和热管理之间取得了精妙的平衡。这意味着在您的应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非浪费在发热上。这不仅直接提升了整机效率，满足日益严格的能效标准，更能帮助您设计出更小巧、更轻便的产品，因为更低的损耗意味着散热系统可以更简化，空间利用得以最大化。

选择STH22N95K5-2AG，就是选择了一份来自全球半导体领袖的可靠承诺。ST意法半导体深厚的工艺积累和严格的质量管控，确保了每一颗芯片都具备卓越的一致性和长期稳定性，让您的产品在市场上更具竞争力。当您需要获取官方技术支持和可靠货源时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗有源的MOSFET解决方案，旨在让您的设计过程更加顺畅，将复杂的功率管理难题化繁为简，助您快速将创新理念转化为引领市场的成功产品。

• 型号:STH22N95K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH22N95K5-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。