STH240N10F7-2

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？想象一下，一个关键开关器件能将导通损耗大幅降低，让整个系统的温升更平缓，寿命更长久这正是STH240N10F7-2为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET家族的明星成员，它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这颗芯片的强大，首先体现在它惊人的电流处理能力和极低的导通电阻。在100V的电压平台上，它能持续承载高达180A的电流，而导通电阻在典型工作条件下仅为2.5毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统效率触手可及。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STH240N10F7-2都能游刃有余地应对高功率密度设计的严苛挑战。其H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能，确保300W的功率耗散能力，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，让您的制造流程更高效、更可靠。

选择STH240N10F7-2，就是选择了一份经得起考验的稳定与高效。它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，从酷寒到极热都能稳定运行。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更加迅速、干净，有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)，让您的系统设计更容易通过各项认证。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的功率转换方案时，这颗芯片就是那块最坚实的基石。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品的STH240N10F7-2，更能带来专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之路再无后顾之忧。

• 型号:STH240N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH240N10F7-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。