STH240N75F3-6

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够同时驾驭180A大电流与75V电压，却将导通电阻牢牢控制在3毫欧以下的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们带来的STH240N75F3-6，正是这样一款源自ST意法半导体STripFET III家族的划时代N沟道MOSFET，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统竞争力、解锁更高功率密度的关键钥匙。

当您面对服务器电源、高性能工业电机驱动或新能源车车载充电机(OBC)等严苛应用时，传统的功率器件往往在效率与温升之间难以两全。而STH240N75F3-6凭借其革命性的低导通电阻（Rds(on)）与极低的栅极电荷（Qg），能显著降低导通损耗和开关损耗，这意味着在相同的输出功率下，您的系统发热更少，效率更高，甚至可以省去部分复杂的散热结构，让整体设计更加紧凑、可靠。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在最恶劣的环境下也能稳定运行，赋予您的产品无与伦比的鲁棒性。

选择STH240N75F3-6，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用的H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能和更高的功率密度，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程，能有效提升您的生产效率和产品一致性。更重要的是，与市场上同类产品相比，它在高电流下的性能表现尤为突出，能帮助您轻松应对瞬态负载冲击，提升系统动态响应。若您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们作为专业的ST一级代理，不仅能确保原装正品的供应，更能为您提供从选型到应用的全方位支持，让您的创新之路再无后顾之忧。立即采用STH240N75F3-6，让它成为您下一代高能效、高可靠性电源与驱动方案的强大心脏。

• 型号:STH240N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH240N75F3-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。