STH270N8F7-2

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够同时驾驭180A大电流与80V高压，却将导通电阻降至惊人的2.1毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局？答案就在STH270N8F7-2之中。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，它代表着功率密度与效率的一次革命性飞跃。其采用的DeepGATE与STripFET VII尖端技术，如同为电流开辟了一条超低阻力的高速公路，让每一瓦特功率都物尽其用，将无谓的发热与能量浪费降至最低，直接为您的终端产品带来更长的续航、更小的体积和更强的可靠性。

无论是面对电动汽车迅猛发展的OBC（车载充电器）和DC-DC转换器，还是数据中心里永不间断的服务器电源，亦或是工业自动化领域中那些需要强劲动力与精准控制的电机驱动，STH270N8F7-2都能游刃有余。它高达315W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在最严苛的环境下稳定输出，无畏挑战。当您的设计需要应对瞬间大电流冲击或持续高负载运行时，这颗芯片就是您最坚实的后盾，确保系统心脏强劲而平稳地跳动。

选择STH270N8F7-2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与未来验证。其极低的栅极电荷（193nC）与优化的开关特性，让您能够轻松设计出更高频率的拓扑结构，从而进一步缩小磁性元件的体积，降低整体系统成本。HPAK封装不仅提供了卓越的散热性能，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供应稳定性，让您的产品从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为产品注入核心竞争力的战略决策。

• 型号:STH270N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH270N8F7-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。