STH275N8F7-6AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而困扰？当电流高达180A时，每降低一毫欧的导通电阻，都意味着显著的效率提升和热量减少。今天，我们为您带来的STH275N8F7-6AG，正是基于这一理念而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET F7技术家族的杰出代表，专为应对严苛的汽车级应用和高功率密度挑战而设计。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，或是在工业伺服系统的核心电源模块里，电流的每一次通断都要求开关器件具备极低的损耗和快速的响应。STH275N8F7-6AG凭借其N沟道设计和80V的漏源电压能力，为您的大电流开关应用提供了坚实的保障。其惊人的2.1毫欧超低导通电阻（在90A，10V条件下），直接转化为更低的传导损耗，让更多的电能转化为有用的功，而非令人头疼的热量。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，整体可靠性获得质的飞跃。无论是车载充电器(OBC)、DC-DC转换器，还是光伏逆变器、不间断电源(UPS)，这颗芯片都能游刃有余地成为您功率链路中的核心开关。

选择STH275N8F7-6AG，就是选择了一份来自顶级制造商的技术承诺。它符合AEC-Q101汽车级标准，能够在-55°C至175°C的极端结温下稳定工作，这为您的产品进军汽车或工业高端市场扫清了障碍。H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达315W的功率耗散，其紧凑的表面贴装形式也顺应了当今电子设备小型化的趋势。更快的开关速度（由优化的栅极电荷Qg特性决定）意味着更高的开关频率成为可能，从而允许您使用更小的磁性元件，进一步缩小系统体积，降低成本。当您需要可靠、高效且经过市场验证的功率MOSFET时，与值得信赖的ST一级代理合作，获取正品STH275N8F7-6AG及相关技术支持，无疑是确保项目成功、加速产品上市的最明智决策。让它为您的下一个设计注入强劲动力，见证能效的显著提升。

• 型号:STH275N8F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH275N8F7-6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。