STH290N4F6-2AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾为系统功耗和散热问题而困扰？当电流高达180A时，传统的功率器件往往成为性能瓶颈，而STH290N4F6-2AG的出现，正是为了打破这一僵局。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其仅为1.7毫欧的超低导通电阻，在45A电流、10V驱动电压下，将导通损耗降至前所未有的低水平，这意味着更少的能量浪费为热量，更多的能量被高效利用，直接为您的系统带来显著的能效提升和温控简化。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次加速指令都伴随着巨大的电流切换；在工业伺服系统的瞬间启停中，功率模块承受着严苛的冲击。这正是STH290N4F6-2AG大展身手的舞台。其高达180A的连续漏极电流承载能力和40V的漏源电压，为高功率密度应用提供了坚实的保障。无论是车载DC-DC转换器、电池管理系统，还是自动化设备中的大电流开关，它都能游刃有余地处理能量流，确保系统在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定运行。其采用的H2PAK-2封装不仅优化了散热路径，更便于在紧凑的PCB布局中实现高可靠性表面贴装，让您的设计在性能和空间上取得完美平衡。

选择STH290N4F6-2AG，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一套经过Automotive, AEC-Q101认证的可靠解决方案。STripFET技术确保了器件在恶劣环境下依然保持卓越的稳健性。极低的栅极电荷（115nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体频率响应和效率至关重要。当您需要构建下一代高效、紧凑且可靠的大功率平台时，这颗芯片就是您值得信赖的核心基石。我们作为专业的ST芯片代理，不仅能为您提供这颗性能强悍的器件，更能为您带来从选型支持到技术咨询的全方位服务，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出，用更低的系统总成本，实现更高的性能标杆。

• 型号:STH290N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH290N4F6-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。