STV160NF03LAT4

当您的电源管理系统需要处理高达160A的电流，同时还要将功率损耗降至最低时，您会选择什么样的解决方案？答案就在STV160NF03LAT4这颗性能卓越的功率MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、实现紧凑设计的强大引擎。凭借其极低的导通电阻和出色的热性能，它能将电能转换过程中的浪费降到最低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具的动力模块中，每一瓦的节省都意味着更长的续航、更低的运营成本和更可靠的产品体验。这正是STV160NF03LAT4大显身手的舞台。其30V的漏源电压和高达160A的连续电流承载能力，使其成为处理大电流开关任务的理想选择。无论是数据中心里日夜不停运转的服务器，还是工地上需要强劲动力的专业设备，这颗芯片都能提供稳定而高效的能量控制，确保系统在严苛环境下依然游刃有余。

选择STV160NF03LAT4，就是选择了一种经过验证的可靠性和卓越的价值。它采用了意法半导体先进的STripFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的3毫欧，这意味着在传导过程中产生的热量更少，系统整体效率更高。其175°C的最高结温和210W的功率耗散能力，赋予了它强大的热鲁棒性，让您的设计拥有更宽的安全裕度。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST代理商，您依然可以获得稳定的货源和技术支持，确保您的生产计划不受影响。在追求极致性能与成本效益平衡的今天，这颗芯片所提供的解决方案，无疑是您打造下一代高效能产品的坚实基石。

• 型号:STV160NF03LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF03LAT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。