STH310N10F7-2

想象一下，在您的下一个高功率密度设计中，如何将系统效率再提升一个台阶，同时确保在严苛环境下依然稳定可靠？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。今天，我们为您隆重介绍来自意法半导体的明星产品STH310N10F7-2。它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效能、高可靠性电源解决方案的得力伙伴，专为应对现代电力电子设计的极限挑战而生。

这款N沟道MOSFET采用了意法半导体引以为傲的DeepGATE和STripFET VII技术，这意味着它在导通电阻和开关性能之间取得了精妙的平衡。其低至2.5毫欧的导通电阻（Rds(on)），配合高达180A的连续漏极电流能力，让它在处理大电流时游刃有余，显著降低了导通损耗。更低的损耗直接转化为更低的温升和更高的系统效率，这对于延长设备寿命、减少散热需求至关重要。无论是面对持续的高负载，还是频繁的开关动作，它都能保持冷静与高效，让您的设计在性能竞赛中脱颖而出。

那么，STH310N10F7-2能在哪些领域大展拳脚呢？它的身影几乎活跃在所有要求严苛的功率转换场景。在服务器电源和通信基础设施中，它能为核心DC-DC转换器提供强劲动力，确保数据中心的稳定运行；在新能源领域，无论是光伏逆变器还是储能系统的PCS（功率转换系统），其100V的耐压和强大的电流处理能力都是实现高效能量转换的基石；对于蓬勃发展的电动汽车而言，它在车载充电机（OBC）、电机驱动辅助电源等模块中同样不可或缺。此外，工业电机驱动、大功率LED照明驱动以及各类高性能焊接设备，都是它发挥价值的舞台。选择它，就是为您的产品注入了工业级的可靠性与卓越性能。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于STH310N10F7-2？理由清晰而有力。首先，其极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要，让您轻松驾驭MHz级别的开关频率设计。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和强大的功率耗散能力（315W），赋予了产品无与伦比的环境适应性和鲁棒性，即使在最恶劣的条件下也能稳定工作。最后，选择意法半导体这一全球领先品牌，意味着获得了从芯片设计到应用支持的全方位保障。如果您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们的合作伙伴，作为资深的ST一级代理，将为您提供从样品到批量生产的全程服务，确保您的项目顺利推进。让STH310N10F7-2成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STH310N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH310N10F7-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。