STH315N10F7-6

当您的下一代汽车电子或工业电源系统面临效率瓶颈时，是否曾设想过，一颗功率器件就能带来颠覆性的性能跃升？今天，我们为您带来的STH315N10F7-6，正是这样一款旨在重新定义功率密度的杰作。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为应对最严苛的能效挑战而生。想象一下，在紧凑的空间内实现高达315W的功率处理能力，同时将导通损耗降至前所未有的低水平这不再是愿景，而是触手可及的现实。

这款器件的魅力，在电动汽车的OBC（车载充电机）、高密度DC-DC转换器以及服务器电源等前沿应用中展现得淋漓尽致。其100V的耐压与180A的连续电流能力，为48V轻混系统、大电流电机驱动提供了坚实可靠的心脏。更令人惊叹的是，即使在60A的大电流下，其导通电阻也仅为2.3毫欧，这意味着在能量转换的每一个瞬间，由热损耗带来的浪费都被大幅削减，系统整体效率得以显著提升，直接转化为更长的续航、更低的运营成本或更冷静的运行温度。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

那么，为何众多领先厂商将STH315N10F7-6作为关键设计的首选？答案在于其无与伦比的综合价值。它通过了严苛的AEC-Q101车规认证，从-55°C到175°C的结温范围内都能稳定工作，赋予了产品从冰原到沙漠的全天候适应力。H2PAK-6封装不仅优化了散热路径，还兼顾了功率密度与布线灵活性。极低的栅极电荷（180nC）意味着驱动更轻松，开关速度更快，有助于提升系统频率、缩小无源元件体积。当您追求极致的功率转换效率、空间利用率和长期可靠性时，这颗芯片就是最值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术支持和供货保障，我们推荐您联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全程服务。

• 型号:STH315N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH315N10F7-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。