STP20N95K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率场景下的性能瓶颈与散热挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STP20N95K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和17.5A的连续漏极电流，为您的高压开关应用树立了新的性能标杆。它不仅仅是参数的堆砌，更是稳定、高效与耐久的承诺，旨在让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率照明或新能源逆变器等关键应用中，每一次开关都要求精准无误，每一次运行都关乎系统整体的稳定性。STP20N95K5正是为此而生。它采用了先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（Rds(on)）在9A、10V条件下成功压低至仅330毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。其高达250W的功率耗散能力，配合TO-220-3封装优秀的散热特性，让您即使在严苛的工况下也能从容应对，确保系统持续稳定运行。

选择STP20N95K5，就是选择了一份安心与远见。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，性能始终如一。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，显著降低了开关损耗，提升了开关频率潜力，让您的设计在动态响应和效率之间找到最佳平衡点。我们深知，可靠的供应链是项目成功的基石，因此我们推荐您通过值得信赖的ST一级代理进行采购，以确保获得正品保障、充足库存和专业的技术支持。让STP20N95K5成为您下一代高性能电源和驱动设计的核心动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STP20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。