STH320N4F6-2

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗而烦恼？当每一瓦特的能量都关乎产品的续航与性能，选择一颗真正高效的功率开关器件，往往成为设计成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体专为严苛应用打造的功率解决方案STH320N4F6-2。这颗基于先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，以其低至1.3毫欧的导通电阻，在80A的大电流下为您带来前所未有的低导通损耗，这意味着更少的能量以热的形式浪费，更高的系统整体效率，以及更长的设备运行时间。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一份电能都直接转化为澎湃动力；在工业伺服系统的电源模块里，稳定与高效是生产线不间断运行的基石；亦或是在高密度服务器电源中，如何在有限空间内处理巨大功率的同时保持冷静。STH320N4F6-2正是为这些挑战而生。它高达200A的连续漏极电流承载能力和40V的漏源电压，为48V混动系统、大电流DC-DC转换器、高性能电机控制等应用提供了坚实的核心。其符合AEC-Q101车规标准并采用Automotive级认证，确保了即使在-55°C至175°C的极端温度范围内也能稳定可靠地工作，满足汽车、工业等高可靠性领域的严苛要求。

为何众多领先厂商在关键设计中信赖STH320N4F6-2？答案在于它卓越的综合性能与价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，频率可以做得更高。HPAK封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达300W的功率耗散，其表面贴装形式也便于自动化生产，提升制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理，您依然可以获得稳定的供货渠道与专业的技术支持，确保现有产品线的延续与新项目的顺利开发。选择STH320N4F6-2，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的、能够助力您的产品在能效和可靠性上脱颖而出的强大伙伴。

• 型号:STH320N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH320N4F6-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。