STF14N80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对紧凑空间和散热挑战时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？今天，我们为您带来一个答案STF14N80K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，不仅仅是又一个电子元件，它是您提升产品能效、增强系统可靠性的强大引擎。其核心价值在于，它完美平衡了高耐压、低损耗与出色的热管理能力，让您的设计从“能用”跃升到“卓越”。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，电压波动和热量积聚是常态。STF14N80K5凭借其高达800V的漏源电压和12A的连续漏极电流，为您构建起坚固的第一道防线。更重要的是，它采用了ST先进的MDmesh K5技术，这项技术专为优化开关性能而生。它显著降低了导通电阻，在6A电流、10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为445毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，进一步减少了开关损耗，让您的系统在整个工作周期内都保持高效、冷静的运行。

选择STF14N80K5，就是选择了一份安心与前瞻性。TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，其增强的散热片设计更能将芯片产生的热量迅速导出，确保在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗可达30W。这直接转化为更长的产品寿命和更低的现场故障率。当您通过我们的ST授权代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是ST意法半导体的原装品质保证和完整的技术支持，更是将行业领先的功率转换技术融入您产品的捷径。它让您能够以更简洁的设计，实现更高的功率密度和能效，最终帮助您的终端产品在市场上脱颖而出，赢得客户的信赖。

• 型号:STF14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。