STI12NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？答案或许就藏在STI12NM50N这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统能效的得力助手。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，它天生就为高效能量转换而生，其卓越的电气特性能够直接转化为您终端产品的市场优势。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动这些对效率和可靠性要求严苛的应用场景中，STI12NM50N都能大显身手。它高达500V的漏源电压和11A的连续电流能力，为系统提供了坚固的安全余量和强大的功率处理基础。更重要的是，其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），意味着在每一次开关动作中，导通损耗和开关损耗都被显著降低。这直接带来的好处是：您的电源系统整体效率更高，发热更少，散热设计可以更简化，最终产品的体积可以更紧凑，寿命也更长久。

选择STI12NM50N，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性与性能保障。尽管其零件状态标注为停产，但在许多存量项目、特定工业领域或对长期供货有特殊安排的供应链中，它依然扮演着关键角色。其坚固的I2PAK通孔封装，确保了出色的机械强度和散热能力，非常适合需要高功率密度和可靠性的工业环境。当您需要为现有产品线寻找稳定可靠的功率核心，或评估经典设计方案时，与专业的ST代理商沟通，他们能为您提供关于这颗芯片库存、替代方案或技术支持的全面信息，确保您的项目平稳推进。让这颗凝聚了ST先进制程技术的功率器件，成为您打造高效、稳健电力系统的坚实基石。

• 型号:STI12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI12NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。