STI15NM60ND

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压和14A电流的功率开关，其导通电阻低至299毫欧，这意味着在同样的输出功率下，它能显著减少能量以热量的形式白白浪费。这正是STI15NM60ND为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是提升系统整体效率、降低运行成本的关键引擎。

无论是工业级开关电源（SMPS）的PFC和主开关电路，还是变频家电、伺服驱动中的电机控制单元，甚至是高可靠性的照明镇流器，STI15NM60ND都能游刃有余。它基于意法半导体成熟的FDmesh II技术平台打造，这项技术通过优化的单元结构和工艺，在击穿电压和导通电阻之间取得了卓越的平衡。其高达600V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压裕量，有效应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，让您的设计在面对复杂工况时依然坚如磐石。而低至40nC的栅极电荷（Qg）则意味着它开关迅速，驱动损耗小，特别适合高频开关应用，帮助您轻松突破频率与效率的瓶颈。

选择STI15NM60ND，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。它采用坚固的I2PAK通孔封装，不仅散热性能优异，机械强度也远超表面贴装器件，非常适合需要高可靠性和易于维护的工业环境。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上稳定的库存，使其依然是许多经典和长生命周期项目的理想之选。对于正在寻找可靠货源的设计者和采购工程师，通过官方授权的ST代理进行询价与采购，是确保获得正品芯片、获得专业技术支持的最稳妥途径。让这颗历经考验的功率芯片，成为您打造高效、耐用、具有市场竞争力的电力电子产品的坚实基石。

• 制造商产品型号：STI15NM60ND
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：FDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STI15NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。