STI18N65M2

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否仍在为开关损耗、散热设计和系统稳定性而反复权衡？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STI18N65M2。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其MDmesh M2技术的卓越基因，重新定义了650V电压等级功率器件的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的积累。STI18N65M2正是为此类严苛应用而生。其高达12A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，为系统提供了坚固的耐压屏障和强大的电流处理能力。更令人振奋的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下低至330毫欧，这意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传递，而非转化为无用的热量。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是需要持续稳定输出的开关电源，它都能游刃有余，确保系统在高效区间稳定运行，显著降低温升，延长整体设备寿命。

选择STI18N65M2，就是选择了一份从容与自信。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），大幅降低了驱动电路的负担，让开关过程更快、更干净，有效减少开关损耗，提升系统频率成为可能，从而帮助您设计出更小巧、功率密度更高的产品。同时，高达150°C的结温和110W的功率耗散能力，赋予了它出色的热可靠性，即使在环境恶劣或散热条件受限的场合，也能保持稳定表现。其坚固的I2PAK通孔封装，确保了优异的机械强度和散热性能，安装牢固，让您的设计经久耐用。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与供货支持，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STI18N65M2成为您下一款明星产品的“心脏”，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STI18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。