STI18NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当面对600V高压应用时，工程师们常常需要在开关速度、导通损耗与系统成本之间艰难权衡。现在，这一切有了更优解来自ST意法半导体MDmesh II家族的STI18NM60N N沟道功率MOSFET，正是为打破这种平衡而生，它将卓越的高压处理能力与出色的动态特性融为一体，为您的设计注入强劲动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心功率级中，一颗功率器件需要承受严苛的电气应力，同时保持极低的能量损耗。STI18NM60N凭借其600V的漏源电压额定值和13A的连续电流能力，为这些高压大电流场景提供了坚实的保障。其采用的先进MDmesh II技术，通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为285毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接转化为设备的节能优势与更长的运行时间。

选择STI18NM60N，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的高可靠性解决方案。其极低的栅极电荷（Qg最大值35nC）和输入电容，确保了快速干净的开关特性，有助于减小开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统运行更安静、更稳定。通孔I2PAK（TO-262）封装提供了优异的散热性能和机械强度，配合高达110W的功率耗散能力，即使在高功率密度设计中也能游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其在特定存量市场和备件领域依然极具价值。如需获取此经典器件的库存或寻找替代升级方案，您可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供全面的产品生命周期支持与技术建议，确保您的项目平稳推进。

• 型号:STI18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。