STI200N6F3

当您的电源转换系统需要承受高达120A的连续电流，同时还要在高温环境下保持稳定时，您是否曾为寻找一颗既能扛住重载、又能保持高效率的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET家族的明星产品STI200N6F3，这颗N沟道MOSFET正是为应对严苛的功率挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或是不间断电源（UPS）的核心电路中，电流如江河般奔涌。这正是STI200N6F3大显身手的舞台。其高达60V的漏源电压和120A的连续电流处理能力，为系统提供了坚实的功率基础。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的3.8毫欧，这意味着在传导过程中产生的热量损耗被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是驱动重型机械，还是保障数据中心电力供应的纯净与稳定，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至175°C的广阔温度范围内持续可靠运行。

选择STI200N6F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。它所采用的STripFET技术，是意法半导体在功率MOSFET领域的匠心结晶，专为优化开关性能和降低导通损耗而设计。其TO-262（I2PAK）封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达330W的功率耗散，也兼顾了通孔安装的便利性与坚固性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场和高可靠性要求项目中依然极具价值。对于正在寻找可靠库存或替代方案的工程师而言，通过与专业的ST芯片代理合作，您依然可以获取这颗经典器件，为您的现有设计注入持久的活力，或为经典产品的维护提供坚实保障。让STI200N6F3成为您功率设计中的定海神针，释放每一瓦电能的全部潜力。

• 型号:STI200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI200N6F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。