STI23NM60ND

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾低损耗与快速响应的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STI23NM60ND。这颗源自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和高达19.5A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而可靠的心脏。它不仅仅是一个组件，更是提升系统整体性能、降低运营成本的关键所在。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)的核心电路中，STI23NM60ND正发挥着它的威力。其180毫欧的超低导通电阻（在10A, 10V条件下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效转化为有用的输出，直接带来更低的温升和更高的系统效率。这对于需要7x24小时连续运行的服务器电源、或是对能耗极其敏感的太阳能逆变器而言，无疑是巨大的价值提升。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速且干净的开关动作，让您的电源设计能够轻松应对高频工作模式，实现更小的磁性元件尺寸和更紧凑的整机布局。

选择STI23NM60ND，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的安全感。FDmesh II专利技术赋予了它卓越的开关性能和雪崩耐量，即使在苛刻的工业环境下也能游刃有余。高达150°C的结温工作能力和坚固的I2PAK通孔封装，提供了出色的热管理和机械可靠性，确保您的产品生命周期长久稳定。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具吸引力。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行咨询与采购，他们能为您提供准确的库存信息、可靠的供应链保障以及深度的应用指导。让这颗经典而强大的MOSFET，成为您打造下一代高效、可靠电力系统的坚实基石。

• 型号:STI23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI23NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。