SCT20N120

当您的下一代电源设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一种既能承受高压又能实现极速开关的解决方案？今天，我们为您带来的SCT20N120，正是基于前沿碳化硅技术的答案。它不仅仅是一颗晶体管，更是开启高效能、高密度电源系统大门的钥匙。凭借其1200V的卓越耐压能力和20A的连续电流，它让传统硅基器件望尘莫及，为您在激烈的市场竞争中构建起坚实的技术护城河。

想象一下，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，SCT20N120能够以更低的开关损耗和导通损耗，实现更快的充电速度和更小的系统体积。在服务器电源和工业电机驱动领域，其高达200°C的结温工作能力和HiP247封装带来的优异散热性能，确保了系统在严苛环境下依然稳定可靠，大幅延长设备寿命。无论是追求极致效率的太阳能逆变器，还是需要紧凑设计的UPS不同断电源，这颗芯片都能游刃有余，将您的产品性能推向新的高度。

选择SCT20N120，就是选择了一种面向未来的技术路径。其碳化硅（SiC）技术本质带来了更快的开关速度、更低的栅极电荷（仅45nC）和更优的高温特性，这意味着您的系统整体效率将显著提升，散热设计得以简化，最终产品体积更小、成本更具竞争力。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅为您提供这颗性能强悍的芯片，更将提供全面的技术支持和供应链保障，助您轻松驾驭碳化硅技术，快速将创新构想转化为市场领先的产品。现在就拥抱SCT20N120，让它成为您动力之源的核心引擎。

• 型号:SCT20N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT20N120的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。