STI25NM60ND

当您需要一款能够在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STI25NM60ND这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效能、高可靠性电源系统的坚实基石。源自ST意法半导体备受赞誉的FDmesh II技术平台，这颗芯片以其卓越的电气性能和坚固耐用的品质，在众多工业与消费类应用中证明了其非凡价值。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STI25NM60ND正扮演着能量高效转换的核心角色。它高达600V的漏源电压和21A的连续电流承载能力，让它轻松应对市电整流后的高压环境以及瞬间的电流冲击。无论是服务器电源需要的高效率，还是工业变频器要求的稳定驱动，这颗芯片都能提供强劲而可靠的支持，确保您的终端产品在严苛条件下依然表现出色。

选择STI25NM60ND，意味着您选择了一份经过市场验证的安心。其160毫欧的低导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，这不仅提升了系统整体效率，也简化了散热设计。优化的栅极电荷特性，让开关过程更快更干净，进一步减少了开关损耗。对于追求长期稳定运行和低维护成本的项目而言，这些特性至关重要。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在特定存量市场和升级替换方案中依然极具吸引力。当您需要获取这颗经典器件或寻求专业的替代选型建议时，可以信赖我们作为ST授权代理所提供的全面支持与服务。

最终，STI25NM60ND代表的是一种以性能为导向的设计哲学。它用扎实的参数和久经考验的可靠性，帮助您的产品在能效、功率密度和长期稳定性之间找到最佳平衡点。在竞争激烈的市场中，一个可靠的功率核心就是您产品脱颖而出的秘密武器。

• 型号:STI25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI25NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。