STI42N65M5

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗、散热与系统成本之间的平衡而困扰？现在，一个集高性能与卓越价值于一身的解决方案已经到来STI42N65M5。这款来自意法半导体MDmesh V家族的650V N沟道MOSFET，正是为应对严苛的工业与消费类应用挑战而生，它将以其出色的性能表现，重新定义您对功率密度的理解。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，每一次开关都伴随着能量的转换与损耗。STI42N65M5凭借其优化的MDmesh V技术，在650V的耐压下提供了仅为79毫欧的超低导通电阻（RDS(on)），这意味着在高达33A的连续电流下，导通损耗被大幅削减。更低的损耗直接转化为更少的热量，让您的系统运行更凉爽、更稳定，同时为提升开关频率、缩小磁性元件尺寸创造了可能，从而助力实现更紧凑、更轻量化的终端产品设计。

选择STI42N65M5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与长期价值。其坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的功率处理能力和散热性能，最高结温达150°C，赋予设计充分的余量。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，为现有产品的维护与升级提供稳定支持。这颗芯片承载的，是意法半导体对高效能功率技术的深刻洞察，它能让您的设计在效率、可靠性与总拥有成本之间找到完美的黄金平衡点，为您的产品注入持久的市场竞争力。

• 型号:STI42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI42N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。