STK800

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在30V、20A的严苛工况下，将导通电阻降至仅7.8毫欧的功率开关，将为您的系统效率带来怎样的飞跃？这正是STK800为您带来的核心价值。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，旨在彻底释放您的电源转换和电机驱动应用的性能潜力。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高密度服务器电源，还是需要快速响应的电动工具和无人机电调，STK800都能游刃有余。其极低的Rds(on)特性意味着在导通状态下几乎不产生额外的热量损耗，让您的系统在高效运行的同时，显著降低了散热设计的复杂度和成本。搭配其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），开关过程迅速而干净，有效减少了开关损耗，特别适合高频开关应用，让整体能效再上一个台阶。从工业自动化到消费电子，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种极端环境下的可靠性与稳定性。

选择STK800，就是选择了一种经过市场验证的卓越解决方案。其采用的先进PolarPak封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美契合现代高密度PCB布局的需求。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的货源和专业的技术支持，确保项目供应链的稳定与安全。这意味着您无需在性能与可获得性之间做选择，STK800以其出色的电气特性和坚固的物理设计，为您的高性能、高可靠性应用提供了坚实而高效的基石，是工程师在追求极致功率密度和效率时不容错过的经典之选。

• 型号:STK800
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK800的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。