STK820

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和效率的平衡而烦恼？想象一下，一款能在狭小空间内驱动高达21A电流，同时将导通损耗降至毫欧级别的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能版图？这正是STK820为您带来的现实。作为ST意法半导体STripFET家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是高效能量转换的引擎。

无论是需要高密度布板的服务器电源、追求快速响应的电机驱动，还是对体积极其敏感的便携式设备与车载充电器，STK820都能游刃有余。其N沟道设计和25V的漏源电压，为低压大电流应用场景提供了坚实可靠的基础。独特的PolarPak封装技术，不仅实现了卓越的散热性能，确保在150°C结温下稳定工作，更让表面贴装变得前所未有的高效，极大简化了您的生产流程。当您需要构建一个既强劲又精巧的功率系统时，它便是那个能让一切化繁为简的核心钥匙。

选择STK820，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其4.5V的低驱动电压门槛与仅7.3毫欧的超低导通电阻，意味着更低的开关损耗和更高的整体效率，直接为您节省能源成本，提升终端产品的竞争力。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和升级方案中依然极具价值。对于寻求稳定可靠解决方案的工程师而言，通过专业的ST芯片代理渠道，依然可以获取高质量的货源与技术支持，确保您的项目平稳推进。让STK820以它的高效与坚韧，成为您产品中默默奉献却至关重要的力量之源。

• 型号:STK820
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1425 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK820的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。