STW78N65M5

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率器件的损耗与散热问题而困扰？想象一下，当您的电源设计需要同时应对650V高压和69A大电流的严苛挑战时，一颗兼具高耐压、低损耗与卓越可靠性的功率MOSFET，将是决定产品成败的关键。现在，答案就在STW78N65M5。这款来自意法半导体MDmesh V家族的明星产品，专为要求严苛的高性能应用而生，它不仅是一个组件，更是您提升系统效率、赢得市场竞争的强力引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车车载充电器(OBC)和光伏逆变器，STW78N65M5都能游刃有余。其650V的漏源电压为您提供了充足的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而低至32毫欧的导通电阻，意味着在34.5A的电流下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被高效转换而非浪费为热量。这直接转化为更小的散热器尺寸、更低的系统温升和更长的产品寿命，让您的设计在能效竞赛中遥遥领先。

选择STW78N65M5，就是选择了一份从容与自信。它继承了Automotive, AEC-Q101的基因，历经汽车级的严苛认证，其稳定性和耐久性在工业与能源领域堪称降维打击。高达450W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了它在恶劣环境下依然坚若磐石。TO-247的经典封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺适配性，让您的生产与升级无缝衔接。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW78N65M5成为您下一代功率系统的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW78N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:203 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW78N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。