STW58N65DM2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率密度与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STW58N65DM2AG。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2先进技术平台的集大成者，专为应对严苛的工业与汽车应用挑战而生。其650V的卓越耐压能力和高达48A的连续漏极电流，意味着它能在高压大电流的舞台上从容不迫，为您构建的电源系统注入澎湃而稳定的核心动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、电动汽车充电桩或是高功率太阳能逆变器中，能量转换的效率每提升一个百分点，都意味着可观的能源节约与系统价值的飞跃。STW58N65DM2AG正是为此而来。它采用TO-247封装，提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在24A电流、10V驱动电压下仅为65毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性显著降低了开关损耗，让您的系统在追求高频高效运行时，不再为开关损耗和电磁干扰（EMI）问题所掣肘，轻松实现更高的功率密度和更紧凑的设计。

选择STW58N65DM2AG，就是选择了一份经得起时间考验的可靠承诺。它隶属于意法半导体的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，这意味着它经历了远超工业标准的严苛测试，具备超凡的坚固性和长期稳定性，能够从容应对振动、温度冲击等恶劣环境。无论您的目标是提升现有产品的性能标杆，还是开发面向未来的下一代高可靠性电源方案，这颗芯片都能成为您最值得信赖的伙伴。如需获取官方正品与技术支援，我们推荐您通过专业的ST授权代理进行采购，确保产品源头正宗，并获得完整的技术支持服务。让STW58N65DM2AG的强大性能，为您的创新蓝图提供最坚实的基石，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW58N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW58N65DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。