STL100N10F7

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈时，您是否在寻找一款能同时兼顾高功率密度与卓越散热表现的解决方案？答案或许就藏在STL100N10F7这颗性能强劲的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您释放系统潜能、实现设计飞跃的关键钥匙。

想象一下，在紧凑的服务器电源模块内部，或在要求严苛的工业电机驱动电路中，能量转换的每一个环节都至关重要。STL100N10F7凭借其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，为高功率应用提供了坚实的基石。其核心魅力在于STripFET VII与DeepGATE技术的完美融合，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的7.3毫欧（@10V, 19A）。这意味着在相同的电流下，芯片自身的功耗损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，直接转化为更低的温升、更高的系统可靠性以及可观的能源节约。这种效率的提升，在数据中心不间断运行或电动汽车充电桩等高负载场景中，价值尤为凸显。

从高端消费类电子产品的快速充电器，到新能源领域的太阳能逆变器和储能系统，再到自动化产线上的伺服驱动器，STL100N10F7都能游刃有余。其PowerFlat（5x6）封装不仅实现了极佳的表面贴装兼容性，更以其优异的封装热性能，确保芯片在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，将100W（Tc）的功率耗散能力发挥得淋漓尽致。选择它，就是选择了一种面向未来的设计思路在更小的空间内，实现更大的功率吞吐和更强的鲁棒性。

为何众多工程师将STL100N10F7作为首选？因为它精准地击中了高性能设计的核心诉求：极低的导通损耗带来卓越的能效，强大的电流处理能力保障了系统的功率裕度，而优化的开关特性（如80nC的栅极电荷）则有助于提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，进一步优化整体方案的成本与体积。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是ST意法半导体的品质保证，更是一份让产品在激烈市场中脱颖而出的性能自信。立即采用STL100N10F7，为您的高效电能转换系统注入强劲动力。

• 型号:STL100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。