STL10N3LLH5

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载高电流又具备出色热性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STL10N3LLH5。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了30V应用场景下的能效标准。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在紧凑的无人机电调、高密度的服务器主板或是对效率锱铢必较的便携式储能设备中，STL10N3LLH5正发挥着核心作用。它高达9A的连续漏极电流承载能力和低至19毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这直接转化为更长的设备运行时间、更稳定的系统性能以及更简化的散热设计。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能游刃有余，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STL10N3LLH5，就是选择了一份可靠与高效。其采用先进的PowerFlat 3.3x3.3封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化的趋势。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，提升了整体系统频率和响应能力。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的ST芯片代理服务将全程为您保驾护航，确保您能轻松获取这颗性能尖兵，并快速将其价值转化为您的产品优势。

• 型号:STL10N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。