STB7NK80ZT4

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时又要严格控制成本和空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？现在，答案就在眼前。STB7NK80ZT4，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，其卓越的性能参数和久经考验的可靠性，将直接转化为您产品的市场优势。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或家用电器等应用场景中，系统需要在800V的高压下稳定工作，同时还要处理高达5.2A的连续电流。这正是STB7NK80ZT4大显身手的舞台。得益于其先进的SuperMESH技术，这颗芯片实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅降低，系统整体效率得到显著提升。更低的损耗不仅意味着更节能，也带来了更低的温升，让您的设备运行更凉爽、更持久。其高达125W的功率耗散能力，配合D2PAK封装出色的散热性能，确保了即使在严苛工况下也能游刃有余。

选择STB7NK80ZT4，就是选择了一份安心与高效。它高达±30V的栅源电压容限，提供了更强的抗干扰能力，让您的设计在面对电压波动时更加稳健。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源系统响应更迅捷，动态性能更出色。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，使其能够从容应对从寒冷户外到高温机箱内的各种环境挑战。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们作为ST一级代理，能为您提供原装正品和全面的技术支持，确保您的项目从研发到量产一路畅通。

归根结底，在竞争激烈的市场中，细节决定成败。STB7NK80ZT4以其800V的耐压、5.2A的电流能力以及SuperMESH技术带来的高效率，为您提供了一个在性能、可靠性和成本之间取得完美平衡的选项。它不仅仅简化了您的电路设计，降低了系统复杂度，更重要的是，它赋予了您的终端产品更强的市场说服力更高效、更可靠、寿命更长。让这颗强大的芯片，成为您下一款明星产品背后的无名英雄吧。

• 型号:STB7NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB7NK80ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。