STGWA15H120DF2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高电压与高效率的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍STGWA15H120DF2，这颗来自ST意法半导体的高性能IGBT，正是为突破传统功率转换瓶颈而生的利器。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，稳定与高效是永恒的追求。STGWA15H120DF2凭借其1200V的高压耐受能力和高达30A的连续集电极电流，为这些严苛应用提供了坚实的保障。其采用的先进沟槽型场截止技术，将导通损耗降至新低，Vce(on)典型值仅为2.6V，这意味着更少的热量产生和更高的系统整体效率。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的能源转换系统，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定运行。

选择STGWA15H120DF2，就是选择了一份从容与自信。它拥有优化的开关特性，开/关延迟时间短，开关能量损耗低，这直接转化为更快的系统响应速度和更低的电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过各项认证标准。经典的TO-247-3封装不仅提供了卓越的散热性能，也简化了PCB布局和生产线装配。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理网络将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗集高性能、高可靠性于一体的IGBT，成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STGWA15H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):231 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA15H120DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。