STW25NM60ND

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在寻求更可靠的功率开关解决方案时，是否曾思考过，一颗优秀的功率MOSFET究竟能带来多大的价值提升？今天，我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II系列中的一颗经典功率器件STW25NM60ND。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的得力助手。其600V的漏源电压和21A的连续漏极电流能力，为应对严苛的工业环境提供了坚实的保障，而FDmesh II专利技术带来的超低导通电阻，意味着更少的能量损耗和更低的温升，直接转化为您的系统效率和可靠性优势。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或是高功率LED照明驱动这些关键应用中，每一次开关动作都关乎整体系统的稳定与寿命。STW25NM60ND凭借其优异的动态特性，如低至80nC的栅极电荷和优化的输入电容，能够实现更快速、更干净的开关切换。这不仅减少了开关损耗，提升了整体能效，也显著降低了电磁干扰(EMI)，让您的产品更容易通过严格的认证标准。在TO-247-3经典封装下，它提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作，为您的设计留出充足的安全裕量。

选择STW25NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与意法半导体的卓越品质。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在存量市场和高可靠性要求的升级设计中依然极具价值。对于寻求稳定供应和专业技术支持的工程师而言，通过值得信赖的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品器件、获得完整技术资料乃至替代方案建议的明智之选。让这颗凝聚了先进FDmesh II技术的功率开关，成为您下一个成功设计的坚实基石，助力您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STW25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。