STW69N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是为散热问题所困扰时，是否曾想过，一颗功率器件的革新能带来多大的改变？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STW69N65M5。它不仅仅是一个650V、58A的N沟道MOSFET，更是工程师应对高压、大电流挑战的得力武器。其卓越的性能源于先进的超结技术，将导通损耗与开关损耗降至新低，让您的系统从一启动就赢在起跑线上。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，稳定与高效是生命线。STW69N65M5正是为此类严苛应用而生。它高达650V的漏源电压和58A的连续漏极电流，提供了充足的安全裕量，确保系统在电压波动和负载冲击下稳如磐石。其低至45毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是追求功率密度的紧凑型设计，还是注重长期可靠性的工业级应用，它都能完美融入，成为提升整体性能的关键一环。

选择STW69N65M5，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。意法半导体的MDmesh V技术确保了极佳的开关特性与热稳定性，TO-247封装则提供了强大的散热能力，支持高达330W的功率耗散。这意味着您的产品不仅能轻松应对峰值负载，更能延长使用寿命，减少维护需求。为了让您能更便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，确保产品原装正品和可靠的技术支持。立即将STW69N65M5纳入您的设计，亲身体验它如何以更低的损耗、更高的可靠性，为您的下一代电源和动力系统注入强劲而高效的核心动力。

• 型号:STW69N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:143 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW69N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。