STL10N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和体积所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压与出色导通性能完美结合，同时封装尺寸却大幅缩减的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计格局。这正是STL10N60M6为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh M6技术平台，这颗芯片天生就拥有卓越的基因。其660毫欧的低导通电阻（Rds(on)）意味着在相同电流下，它能将更多的电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量损耗。这直接转化为更低的温升、更高的系统可靠性，以及最终产品更长的使用寿命。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是开关电源中持续的高频切换，它都能游刃有余，确保系统稳定如山。当您需要可靠的功率开关解决方案时，通过专业的ST授权代理获取它，无疑是明智之选。

它的舞台遍布各个高要求的应用领域。在服务器电源和通信设备电源中，STL10N60M6的高压能力和低损耗特性，助力实现80Plus白金甚至钛金级别的能效标准，为企业节省可观的电费开支。在LED照明驱动，尤其是大功率户外照明和植物生长灯应用中，其稳定的性能确保了光源的长久与明亮。而对于日益普及的电动车充电桩、家用储能逆变器等新能源设备，它更是构建高效、安全AC-DC或DC-AC转换环节的可靠基石。其PowerFlat HV封装，在提供高达48W散热能力的同时，将占板面积压缩到极致，让您的设计可以更轻薄、更精巧，从容应对空间受限的挑战。

选择STL10N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。ST意法半导体的品牌保障，意味着从晶圆到成品的每一个环节都历经严苛的质量管控。MDmesh M6技术带来的快速开关特性和优异的体二极管稳健性，能有效降低开关损耗和电磁干扰(EMI)，简化您的电路设计和滤波成本。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。当您将这颗集高性能、高可靠性、小尺寸于一身的功率芯片融入您的下一个设计时，您收获的将不仅是产品参数的提升，更是整体解决方案价值的飞跃，助您在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 型号:STL10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。