STL110N4F7AG

当您的下一代汽车电子或高密度电源设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗既能承载大电流，又能将损耗降至微乎其微的“能量心脏”？答案就在STL110N4F7AG。这不仅仅是一颗MOSFET，它是意法半导体STripFET F7技术的巅峰之作，专为应对严苛挑战而生。想象一下，在108A的连续电流下，导通电阻低至惊人的4毫欧，这意味着在能量传输的路径上，阻碍被极大地削减，热能损耗显著降低，系统的整体效率得以飞跃式提升，让您的产品在性能和能效上立刻脱颖而出。

它的舞台遍布现代电子的核心领域。在电动汽车的电机驱动、电池管理系统（BMS）中，它确保动力澎湃输出而温升可控；在服务器电源、通信基站的高密度DC-DC转换器里，其卓越的开关特性助力实现更高的功率密度和更快的响应；即便是对空间和散热都极为苛刻的车载充电器（OBC）或LED驱动，其紧凑的PowerFlat 5x6封装也能游刃有余。从-55°C到175°C的宽广结温范围，更是赋予了它无与伦比的可靠性，从容应对极端环境，保障系统长期稳定运行。选择它，就是为您的应用注入一颗经久耐用的“强芯”。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向STL110N4F7AG？因为价值显而易见。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更高的效率，这不仅节省了能源，更简化了热管理设计，可能减少散热片尺寸甚至省去风扇，从而降低整体系统成本和体积。同时，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关动作，减少了开关损耗，让高频高效运行成为可能。这颗芯片凝聚了意法半导体对品质的极致追求，并通过了AEC-Q101车规认证，品质与性能皆有保障。若您正在寻找可靠的原厂供应与技术支援，我们的ST授权代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STL110N4F7AG，不仅是选择了一颗组件，更是选择了一个提升产品竞争力、赢得市场的可靠伙伴。

• 型号:STL110N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4毫欧 @ 54A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL110N4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。